《半导体异质结物理(第二版) 》总结了国内外半导体异质结方面的研究成果,较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性。《半导体异质结物理(第二版) 》共分10章,内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化镓异质结、超晶格和多量子阱。 《半导体异质结物理(第二版) 》可供已学过半导体物理的高年级本科生、研究生及相关人员阅读。
第二版前言 第一版前言 第1章 序言参考文献第2章 半导体异质结的组成与生长2.1 材料的一般特性2.2 异质结界面的晶格失配2.3 异质结的生长思考题参考文献第3章 半导体异质结的能带图 3.1 理想突变异质结的能带图3.2 异质结的能带带阶3.3 有界面态的突变异质结能带图思考题参考文献第4章 半导体异质结的伏安特性和异质结晶体管 4.1 异质结的注入比4.2 异质结中的超注入现象4.3 理想突变异质结的伏安特性4.4 有界面态的异质结的伏安特性4.5 伏安特性的微商研究法4.6 异质结双极晶体管4.7 GexSi(1-x)/Si异质结器件思考题参考文献第5章 半导体异质结构中的二维电子气及调制掺杂器件5.1 方形势阱中粒子运动的特性 5.2 异质结量子势阱中的二维电子气5.3 二维电子气的输运 5.4 调制掺杂结构和场效应晶体管 5.5 强磁场中的二维电子气 思考题参考文献第6章 半导体异质结中
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