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半导体异质结物理(第二版)


半导体异质结物理(第二版)

购买半导体异质结物理(第二版)
作    者  虞丽生
出 版 社  科学出版社
书    号  03-016884-4
丛    书  半导体科学与技术丛书
责任编辑 田士勇 张静 开本 B5
出版时间 2006年5月 字数 443千字
装    帧 平装 印张 0
带    盘 页数 361
定    价 ¥52.0    
       
普通会员 ¥42.6  
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金牌会员 ¥40.6    
批量购书 电话: 010-51287918
 
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半导体异质结物理(第二版) 内容提要

    《半导体异质结物理(第二版) 》总结了国内外半导体异质结方面的研究成果,较系统地介绍了半导体异质结的基本物理原理和特性。《半导体异质结物理(第二版) 》共分10章,内容有半导体异质结材料特性、能带图、伏安特性、异质结晶体管、二维电子气及调制掺杂器件、异质结中非平衡载流子特性、半导体异质结激光器、半导体异质结的光电特性、氮化镓异质结、超晶格和多量子阱。
    《半导体异质结物理(第二版) 》可供已学过半导体物理的高年级本科生、研究生及相关人员阅读。

半导体异质结物理(第二版) 目录

第二版前言 
第一版前言 
第1章 序言
参考文献
第2章 半导体异质结的组成与生长
2.1 材料的一般特性
2.2 异质结界面的晶格失配
2.3 异质结的生长
思考题
参考文献
第3章 半导体异质结的能带图 
3.1 理想突变异质结的能带图
3.2 异质结的能带带阶
3.3 有界面态的突变异质结能带图
思考题
参考文献
第4章 半导体异质结的伏安特性和异质结晶体管 
4.1 异质结的注入比
4.2 异质结中的超注入现象
4.3 理想突变异质结的伏安特性
4.4 有界面态的异质结的伏安特性
4.5 伏安特性的微商研究法
4.6 异质结双极晶体管
4.7 GexSi(1-x)/Si异质结器件
思考题
参考文献
第5章 半导体异质结构中的二维电子气及调制掺杂器件
5.1 方形势阱中粒子运动的特性 
5.2 异质结量子势阱中的二维电子气
5.3 二维电子气的输运 
5.4 调制掺杂结构和场效应晶体管 
5.5 强磁场中的二维电子气 
思考题
参考文献
第6章 半导体异质结中

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