第二版前言
第一版前言
第1章 序言
参考文献
第2章 半导体异质结的组成与生长
2.1 材料的一般特性
2.2 异质结界面的晶格失配
2.3 异质结的生长
思考题
参考文献
第3章 半导体异质结的能带图
3.1 理想突变异质结的能带图
3.2 异质结的能带带阶
3.3 有界面态的突变异质结能带图
思考题
参考文献
第4章 半导体异质结的伏安特性和异质结晶体管
4.1 异质结的注入比
4.2 异质结中的超注入现象
4.3 理想突变异质结的伏安特性
4.4 有界面态的异质结的伏安特性
4.5 伏安特性的微商研究法
4.6 异质结双极晶体管
4.7 GexSi(1-x)/Si异质结器件
思考题
参考文献
第5章 半导体异质结构中的二维电子气及调制掺杂器件
5.1 方形势阱中粒子运动的特性
5.2 异质结量子势阱中的二维电子气
5.3 二维电子气的输运
5.4 调制掺杂结构和场效应晶体管
5.5 强磁场中的二维电子气
思考题
参考文献
第6章 半导体异质结中的非平衡载流子
6.1 过剩载流子的特性
6.2 异质结中的过剩载流子
6.3 异质结中过剩载流子寿命的测量
6.4 热载流子的一般特性
6.5 研究热载流子特性的实验方法
6.6 异质结中的热电子行为
6.7 几种实空间转移器件
思考题
参考文献
第7章 半导体异质结激光器及光波导
7.1 半导体受激光发射的基本原理
7.2 半导体激光器的阈值条件
7.3 增益和电流的关系，量子效率和增益因子
7.4 半导体异质结激光器的横模
7.5 半导体激光器增益谱的测量
7.6 半导体异质结光波导
思考题
参考文献
第8章 半导体异质结的光电特性
8.1 异质结的光伏特性和光电流
8.2 键合异质结的光电流
8.3 用光电导方法测量AlGaN/GaN异质结中Al的组分
8.4 用光反射测量AlGaN及AlGaN/GaN异质结中Al的组分
8.5 用光电流方法测量金属和GaN及AlGaN/GaN异质结构肖特基势垒的高度
8.6 异质结光电晶体管
思考题
参考文献
第9章 氮化镓材料及其异质结特性
9.1 氮化镓的基本物理特性
9.2 金属和GaN及AlGaN/GaN的肖特基接触
9.3 金属在AlGaN上的肖特基结势垒高度和Al组分的关系
9.4 p型GaN材料的特殊情况
9.5 AlGaN/GaN和InGaN/GaN的自发极化和压电极化
9.6 InGaN/GaN量子阱发光管和激光器中发光均匀性和光谱特性
9.7 GaN的电子器件
思考题
参考文献
第10章 半导体超晶格和多量子阱
10.1 超晶格和多量子阱的一般描述
10.2 超晶格的能带
10.3 垂直于超晶格方向的电子输运
10.4 超晶格的光谱特性
10.5 超晶格和量子阱器件
10.6 量子阱和超晶格的近期进展
思考题
参考文献
部分参考答案
常用物理常数表 |
