CMOS 模拟集成电路分析与设计

CMOS 模拟集成电路分析与设计 内容提要

    《CMOS 模拟集成电路分析与设计》分析了CMOS模拟集成电路设计理论与技术，《CMOS 模拟集成电路分析与设计》由18章组成。从CMOS集成电路的工艺着手，介绍了CMOS模拟集成电路的基础，即MOS器件物理以及高阶效应，然后分别介绍了模拟集成电路中的各种电路模块：基本放大器、恒流源电路、差分放大器、运算放大器、基准电压源、开关电容电路、集成电压比较器、数/模转换与模/数转换以及振荡器与锁相环等。另外，在第6章、第7章与第10章中还特别介绍了CMOS模拟集成电路的频率响应、稳定性、运算放大器的频率补偿及其反馈电路特性，在第8章与第12章中还分析了噪声与非线性。
    《CMOS 模拟集成电路分析与设计》作为CMOS模拟集成电路的教材，可供本科生高年级与研究生使用，也可供从事相关专业的技术人员参考。

CMOS 模拟集成电路分析与设计 目录

第1章  CMOS集成电路制造工艺
    1.1  基本的制造工艺过程
    1.1.1  衬底材料的制备
    1.1.2  光刻
    1.1.3  刻蚀
    1.1.4  掺杂、扩散
    1.1.5  化学气相淀积
    1.2  双阱CMOS工艺的主要流程
    1.3  高压CMOS器件及高低压兼容工艺
    1.3.1  高压CMOS器件
    1.3.2  高低压兼容CMOS工艺
    1.3.3  高压PMOS的厚栅氧刻蚀
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