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集成电路器件电子学(第三版) 内容提要 |
《集成电路器件电子学(第三版)》系统介绍了集成电路器件电子学,其内容可分为两部分:第一部分是学习半导体器件必须的知识,包括半导体物理和工艺的基本知识,以及金属-半导体接触和pn结理论;第二部分系统深入地阐述了双极晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理和特性。书中每章后有大量的习题,供读者加深理解所学的知识。 《集成电路器件电子学(第三版)》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书,也可供在相关领域工作的专业技术人员参考。 |
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集成电路器件电子学(第三版) 目录 |
第1章 半导体电学特性 1.1 半导体材料物理 1.1.1 固体的能带模型 1.1.2 空穴 1.1.3 成键模型 1.1.4 施主和受主 1.1.5 热平衡统计 1.2 半导体中的自由载流子 1.2.1 漂移速度 1.2.2 迁移率和散射 1.2.3 扩散电流 1.3 器件:霍尔效应磁传感器 1.3.1 霍尔效应的物理机制 1.3.2 集成霍尔效应磁传感器 小结 参考文献 参考书 习题 第2章 硅工艺 2.1 硅平面工艺 2.2 晶体生长 2.3 热氧化 氧化动力学 2.4 光刻和图形转移 2.5 掺杂和扩散 2.5.1 离子注入 2.5.2 扩散 2.6 化学气相淀积 2.6.1 外延 2.6.2 非外延薄膜 2.7 互连和封装 2.7.1 互连 2.7.2 测试和封装 2.7.3 污染 2.8 化合物半导体工艺 2.9 数值模拟 2.9.1 模拟的基本概念 2.9.2 网格 2.9.3 工艺模型 2.9.4 器件模拟 2.9.5&n |
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调换货原则 |
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