第1章 概述 1
1.1 半导体材料 1
1.2 半导体器件 2
1.3 半导体工艺技术 5
1.3.1 关键半导体技术 5
1.3.2 技术趋势 8
1.4 基本制造步骤 10
1.4.1 氧化 10
1.4.2 光刻和刻蚀 10
1.4.3 扩散和离子注入 12
1.4.4 金属化 12
1.5 小结 12
参考文献 13
第2章 晶体生长 15
2.1 从熔体生长硅单晶 15
2.1.1 初始原料 16
2.1.2 Czochralski法 16
2.1.3 杂质分布 17
2.1.4 有效分凝系数 19
2.2 硅悬浮区熔法 20
2.3 GaAs晶体生长技术 24
2.3.1 初始材料 24
2.3.2 晶体生长技术 26
2.4 材料特征 27
2.4.1 晶片整形 27
2.4.2 晶体特征 29
2.5 小结 33
参考文献 34
习题 34
第3章 硅氧化 36
3.1 热氧化方法 36
3.1.1 生长动力学 37
3.1.2 薄氧化层生长 43
3.2 氧化过程中杂质再分布 43
3.3 二氧化硅掩模特性 45
3.4 氧化层质量 46
3.5 氧化层厚度表征 47
3.6 氧化模拟 49
3.7 小结 51
参考文献 51
习题 51
第4章 光刻 53
4.1 光学光刻 53
4.1.1 超净间 53
4.1.2 曝光设备 55
4.1.3 掩模 58
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